Descoberta promete superar memórias magnéticas e discos rígidos

Redação do Site Inovação Tecnológica - 13/12/2006

Nem bem as memórias magnéticas chegaram ao mercado, com sua proposta de computadores que nunca perdem os dados, mesmo quando são desligados, e físicos ingleses já descobriram uma alternativa mais rápida e mais eficiente.

Spintrônica

Eles criaram um dispositivo spintrônico - um componente que funciona a partir da propriedade quântica do spin dos elétrons e não de sua carga elétrica - que poderá não apenas produzir uma nova geração de memórias RAM permanentes, mas também revolucionar o armazenamento de dados nos discos rígidos.

O avanço alcançado pelos cientistas ingleses consiste na utilização de feixes de energia de íons de gálio para controlar artificialmente a direção do campo magnético de películas de cobalto medindo apenas alguns átomos de espessura.

A direção do campo magnético - o spin dos elétrons - pode ser utilizado para armazenar informações: neste caso, as posições "para cima" e "para baixo" dos spins correspondem aos 0s e 1s da linguagem binária.

Resistência elétrica

Para ler as informações gravadas, os cientistas simplesmente medem a resistência elétrica das áreas previamente gravadas, ou magnetizadas. Isto pode ser feito de forma muito mais rápida do que é feito hoje nos discos rígidos. Os cientistas propuseram que a alternância entre 0 e 1 seja feita utilizando-se um curto pulso de corrente elétrica, o que, por sua vez, atende às necessidades das células de memória RAM.

"Os resultados são importantes na medida em que sugerem uma nova rota para o desenvolvimento de memórias magnéticas de alta densidade que não perderão as informações quando a energia for desligada. Pela primeira vez, os dados serão escritos e lidos muito rapidamente utilizando-se somente correntes elétricas," diz o professor Simon Bending, da Universidade de Bath.

Memórias magnéticas

O enfoque adotado é diferente das atuais memórias magnéticas ou ferromagnéticas (FeRAM e MRAM). Estas utilizam uma alta corrente elétrica para chavear os estados das células de memória entre 0s e 1s, o que limita muito a densidade máxima possível do armazenamento das informações, restringindo as possibilidades de miniaturização.

Esta nova pesquisa, embora ainda esteja em estágio bastante primária, aponta no sentido de memórias permanentes de alta densidade e de tempos de leitura muito menores.

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