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Eletrônica

Transístor mais rápido do mundo vai superar barreira terahertz

Redação do Site Inovação Tecnológica - 10/03/2014

Transístor bate recorde e quer superar barreira terahertz
Agora é uma questão de "ajeitar as coisas" para que as velocidades-recorde sejam alcançadas a temperatura ambiente.
[Imagem: Georgia Tech/Rob Felt]

Recorde em GHz

Acaba de ser demonstrado o transístor de silício mais rápido já fabricado.

E o recorde anterior foi triturado: o novo transístor de silício-germânio operou a 798 GHz, mais de 200 GHz mais rápido do que o recordista anterior.

Embora o recorde tenha sido batido em temperaturas extremamente baixas - como geralmente ocorre nesses casos - a equipe dos EUA e da Alemanha afirma que agora é uma questão de "ajeitar as coisas" para que as velocidades-recorde sejam alcançadas a temperatura ambiente.

"O transístor que testamos tem um projeto conservador, e os resultados indicam que há um potencial significativo para alcançar velocidades similares à temperatura ambiente," disse o professor John Cressler, líder da equipe.

"Mais do que isso, eu acredito que estes resultados também indicam que o objetivo de quebrar a chamada 'barreira terahertz', ou seja, alcançar velocidades terahertz em um transístor de silício-germânio robusto e fabricável industrialmente, está ao nosso alcance," complementou Cressler.

Antes disso, o componente poderá ser usado em aplicações que já funcionam em temperaturas criogênicas, como em satélites artificiais e sondas espaciais ou em equipamentos de imageamento médico.

Transístor bate recorde e quer superar barreira terahertz
O nanotransístor de silício-germânio é do tipo HBT, ou transístor bipolar de heterojunção.
[Imagem: John Cressler Group]

Transístor HBT

O nanotransístor de SiGe (silício-germânio) é do tipo HBT (heterojunction bipolar transistor, ou transístor bipolar de heterojunção).

O silício é muito bom para o dia a dia, mas não é páreo para outros semicondutores quando o assunto é um desempenho extremo.

Quando o assunto é bater recordes, os materiais mais usados são o fosfeto de índio, arseneto de gálio e nitreto de gálio.

O problema é que todos são caros demais para serem usados em larga escala.

É por isso que os pesquisadores estão interessados no silício-germânio - o alto desempenho do germânio dá uma turbinada no silício.

Bibliografia:

Artigo: A 0.8 THz fMAX SiGe HBT Operating at 4.3 K
Autores: John D. Cressler, Partha S. Chakraborty, Adilson S. Cardoso, Brian R. Wier
Revista: IEEE Electron Device Letters
Vol.: 35 Issue: 2
DOI: 10.1109/LED.2013.2295214
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