Intel lança nova tecnologia de memória 3D

Redação do Site Inovação Tecnológica - 29/07/2015

As células de memória - os bits - ficam nas interseções de uma estrutura tridimensional.
[Imagem: Intel/Micron]

Memória PCM

A Intel e a Micron anunciaram o lançamento de um novo tipo de chip de memória não-volátil - que não perde dados na falta de energia.

Segundo nota das duas empresas, a tecnologia 3D XPoint seria "a primeira categoria nova de memória em mais de 25 anos".

O novo chip incorpora células de memórias de mudança de fase, ou PCM (Phase-Change Memory), armazenando os dados na estrutura cristalina de uma liga metálica pertencente à família dos calcogenetos amorfos.

Os materiais de mudança de fase podem alternar entre duas fases estruturais, cada uma delas com diferentes propriedades elétricas, uma cristalina e condutora de eletricidade, e outra amorfa e isolante - uma das fases representa o bit 0 e a outra o bit 1. Como o material muda fisicamente, o dado não é perdido quando a energia é desligada.

Nessa categoria estão diversos materiais que estão despontando como "salvadores da Lei de Moore", como a molibdenita, ou dissulfeto de molibdênio (MoS2), o dissulfeto de tungstênio (WS2), o disseleneto de tungstênio (WSe2), entre outros.

Memória 3D sem transístor

A vantagem da nova tecnologia é que a estrutura dos chips de memória é tridimensional, com um bit em cada interseção de uma estrutura 3D que mescla linhas de leitura e escrita dos dados e linhas de armazenamento. Isto significa que a estrutura dispensa os tradicionais transistores.

Esse arranjo tridimensional permite uma densidade de armazenamento impressionante, nada menos do que 10 vezes mais bits por área do que as memórias flash atuais.

A memória de mudança de fase é feita com materiais da classe da molibdenita.
[Imagem: Micron]

As duas empresas também afirmam que a nova memória é 1.000 vezes mais rápida do que as memórias flash.

Isto deverá dar um enorme impulso aos discos de estado sólido (SSDs). Cada chip da primeira geração da 3D XPoint, do tamanho de um pendrive, armazena 128 Gb em duas camadas empilhadas de células de memória.

Armazenamento de longo prazo

As indústrias integradoras receberão os primeiros protótipos da nova memória no terceiro trimestre deste ano, e a produção em larga escala começará no quarto trimestre.

"Um dos gargalos mais significativos da computação moderna é o tempo que leva para que o processador alcance os dados gravados no sistema de armazenamento de longo prazo [discos rígidos]. Esta nova classe de memória não-volátil é uma tecnologia revolucionária que permite o acesso rápido a conjuntos de dados enormes, viabilizando aplicações inteiramente novas," afirmou Mark Adams, presidente da Micron.