IBM e Infineon se juntam para produzir novo tipo de memória

Redação do Site Inovação Tecnológica - 07/09/2001

IBM e Infineon anunciaram planos para desenvolvimento conjunto de tipo radicalmente novo de memória para computadores. Ao invés de utilizar cargas elétricas, como as atuais, as novas memórias utilizarão cargas magnéticas.

Batizadas de MRAM (Magnetic Random Access Memory - Memórias de acesso aleatório magnéticas), as novas memórias serão mais rápidas e utilizarão menos energia, o que é crucial para o desenvolvimento de equipamentos portáteis.

As memórias MRAM combinam as melhores características de cada um dos tipos de memória hoje disponíveis: são rápidas como as SRAM, serão baratas quanto as DRAM e ainda serão não-voláteis, como as memórias FLASH.

O ítem que desperta mais interesse, certamente é a economia de energia. Sendo não-volátil, a MRAM não necessita de abastecimento contínuo de energia para manter os dados, aumentando a vida útil de baterias de notebooks, celulares, palmtops e quaisquer outros dispositivos portáteis.

A IBM já construiu um protótipo de MRAM em 1.998. Com a parceria estratégica, a tecnologia se valerá da capacidade da Infineon de construir memórias de alta densidade. A expectativa é de que as novas memórias poderão estar no mercado no ano de 2.004.