Nova arquitetura de transistores

Redação do Site Inovação Tecnológica - 18/04/2002

A empresa Sceptre Electronic (País de Gales), trabalhando conjuntamente com os laboratórios do Russian Institute for Microelectronics - RIB (Rússia), anunciou o desenvolvimento de uma nova arquitetura para a construção de transistores que poderá representar um alívio para a constante necessidade de miniaturização desses componentes.

Segundo a empresa, o processo utiliza uma dopagem pontual, ao invés da dopagem contínua normalmente utilizada. A dopagem pontual aumenta a mobilidade das cargas no transístor, aumentando a freqüência de operação do componente.

A dopagem pontual é feita através de canais que medem entre 20 e 100 nanômetros de largura. Ao invés da litografia, o novo método utiliza um processo de auto-montagem molecular. Um feixe iônico constrói as estruturas em forma de onda, que funcionam como uma máscara para o crescimento molecular.

Segundo Leon Rizzi, um dos fundadores da Sceptre, o método, além de poder ser integrado nos processos MOS tradicionais, ultrapassou as expectativas em termos de desempenho. Pode-se produzir padrões abaixo de 8 nanometros sem a utilização de máscaras.